以前の研究では，これまでにBa1 xKxBiO3( BKBO )を用いて，酸化物超伝導体では世界で初めてトンネル・ジョセフソン接合を作製しました（図 1 ）。また，光ダイオードを利用した光入力インターフェイスを研究・作製し，高周波光信号による SFQ 回路の駆動に世界で初めて成功しました。その後，従来の高温超伝導体回路の報告を超える 500GHz の動作実証や光入力インターフェイスや高温超伝導体ナノブリッジ作製技術の検討を行い，世界最高レベルの，幅 30nmで良好な特性を有するブリッジを作製する技術を開発しました。この作製技術に基づいて電流電圧特性が非対称となる非対称形状ナノブリッジデバイスの検討を行いました。

上記研究の後，ナノブリッジデバイスの動作解析におけるシミュレーションを充実させて，時間依存 Ginzburg Landau (TDGL) 方程式を用いたシミュレーションにより超伝導薄膜デバイス中のボルテックスの挙動について検討し，モートへのボルテックスの捕獲の様子などを可視化しました。また，熱拡散方程式と TDGL 方程式を組み合わせることで熱援用スイッチングデバイスの動作ダイナミクスの基礎的部分も可視化して特性解析を行い（図 2 ），設計指針となる知見を得て，超伝導デバイス技術の進展に寄与しようとしています。